科技专栏

当前位置:新葡萄京娱乐场 > 科技专栏 > Intel 的 3D 记忆体比现代存储媒介快 1000 倍

Intel 的 3D 记忆体比现代存储媒介快 1000 倍

来源:http://www.653-5353.com 作者:新葡萄京娱乐场 时间:2020-01-19 21:05

相变内存(Phase Change Memory,PCM)是诸多号称能「改变未来」的新内存技术之一,拥有接近 DRAM 的速度、远超过快闪内存的使用寿命,以及不供电也能保存资料的特性。在某些方面来说,它和忆阻体有点像,都是利用物质的电阻高低值来存储信息,只是真正的忆阻体是用电压来控制物质的电阻,而相变内存用的却是温度。相变内存使用的物质一般是一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide Glass),它们在加热冷却后,可以形成高电阻的晶体,或是低电阻的非晶体状态,或是两种状态间的任意比例组合。过去 IBM 已经成功地实作出一个晶体单位存储一个位元的相变化内存样本,这次的突破主要是在于对晶体状态更细致的辨识能力,让每个晶体单位可以可靠地量测出八种不同的状态,记录三位元的信息。三位元是个重要的里程碑,因为如此一来它在成本上就明显对 DRAM 有优势,甚至逼近了快闪内存。只是像所有这类的研究一般,每次都只闻楼梯响,究竟要什么时候才能看到产品面世呢?

IBM 的工程师有多神?这是一群在百岁生日上还能继续为世界带来超级大改变的人啊!这次的发明,是一种新的相变内存(Phase Change Memory,PCM),这种内存的原理,是运用一种有两种形态 -- 结晶和无定形 -- 的合金做为基础,这种合晶在结晶时导电性良好,但在不定形状态下电阻就变得很高。因此只要通电改变结晶的型态,就能在这种合晶上储存数据,电阻高的不定形状态是零,而电阻低的结晶状态是一。虽然原理不完全一样,但这种合晶在效果上颇接近忆阻器,相较于现有的闪存,读写速度可以快上 100 倍,而且可以稳定地使用数百万个写入循环(闪存几千次就不行了)。IBM 的技术还不止如此 -- 他们成功地发展了一套方法,可以可靠地在一块晶体中储存四种不同的电阻「等级」,让本来只能储存一个位,变成可以存两个,大幅提升信息的储存密度,不过就像大部份这种令人兴奋的新科技,IBM 只能给出「五年之内发生典范转移」这样笼统的数字。现在我们眼前既有答应 2013 年推出的忆阻器,又有 2016 年的瞬间内存,只要撑过了 2012 的世界末日,小弟小小的谜片收藏应该就终于有快速而安全的 SSD 可以存了吧?

虽然很想把文章写得像发现了新大陆一样兴奋,但仔细读过去,就会发现 Intel 和 Micron 共同发布的这个新的「3D Xpoint(发音如 cross-point)」,其实就是我们多年前写过的忆阻器和材料技术的实用化。至少很难得地,这个技术竟然能照着预计的时程推出,之前答应「2016 可以实用化」,目前看起来应该是没有问题的呢。

本文由新葡萄京娱乐场发布于科技专栏,转载请注明出处:Intel 的 3D 记忆体比现代存储媒介快 1000 倍

关键词:

上一篇:Symantec 防毒漏洞达成跨平台成就

下一篇:没有了